如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹
2020/7/3 8:59:17點(diǎn)擊:
IGBT的測(cè)量方法
IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè),或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。
檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電,避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度;
然后用指針萬(wàn)用表的兩只表筆正反測(cè)G、e兩極及G、c兩極的電阻,對(duì)于正常的IGBT管(正常G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大;內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管正常時(shí),e、C極間均有4kΩ正向電阻),上述所測(cè)值均為無(wú)窮大;
最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測(cè)值在3.5kΩ左右,則所測(cè)管為含阻尼二極管的IGBT管,若所測(cè)值在50kΩ左右,則所測(cè)IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表,正常情況下,IGBT管的e、C極問正向壓降約為0.5V。
測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小,則說(shuō)明該管已擊穿損壞;
若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大,說(shuō)明該管已開路損壞。維修中IGBT管多為擊穿損壞。
判斷晶閘管極性及好壞的方法選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大,則判定該極為陽(yáng)極(A)。
然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極(A),紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極(K),另一極為控制極(G)。
黑表筆不要離開陽(yáng)極(A)同時(shí)觸擊控制極(G),若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極(K)和控制極(G)是正確的,且該晶閘管元件為好的晶閘管。若萬(wàn)用表指針不偏轉(zhuǎn),顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測(cè)量。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的,該晶閘管為好的晶閘管。否則為壞的晶閘管。
判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性:選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大,則判定該極為IGBT的柵極(G)。
測(cè)量另外兩極的正反向電阻,在正向電阻時(shí),紅表筆接的為IGBT的集電極(C),黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極(E)。
判斷IGBT好壞:選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極(C),紅表筆接發(fā)射極(E),用手同時(shí)觸擊一下集電極(C)和控制極(G)。
若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極(E)和控制極(G),萬(wàn)用表指針回零,則該IGBT為好的,否則為壞的IGBT。
如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹
1、判斷極性
首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
2、判斷好壞
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E),此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT
注意判斷IGBT好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測(cè):
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉䴓O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測(cè)試檔,紅表筆接P(集電極c1),黑表筆依次測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來(lái),黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2),黑表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同,若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差,應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性, 萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大,這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差,此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí),說(shuō)明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。
很多同行對(duì)IGBT的測(cè)量和判斷僅局限于徹底擊穿,而對(duì)一些軟擊穿和性能下降的IGBT卻不知如何判斷,現(xiàn)就把本人多年來(lái)判斷IGBT的小經(jīng)驗(yàn)給大家說(shuō)說(shuō),高手可以飄過:
首先把指針萬(wàn)用表調(diào)到R×10K檔,檢測(cè)過程可分4步進(jìn)行:
1:黑表筆接G極;紅表筆接E極,此時(shí)的阻值應(yīng)為無(wú)窮大。
2:黑表筆接C極;紅表筆接E極,此時(shí)的阻值應(yīng)為 0Ω 。
3:保持第二步不動(dòng),用鑷子等金屬物短接G極和E極引腳,阻值應(yīng)該由 0Ω 跳變?yōu)闊o(wú)窮大。
4:在第三步的基礎(chǔ)上,移走鑷子,阻值應(yīng)保持無(wú)窮大不變。
以上測(cè)量方法同時(shí)適用于普通N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的判斷,P溝道的只需對(duì)調(diào)表筆即可,經(jīng)驗(yàn)由本人原創(chuàng)!
IGBT管的好壞可用指針萬(wàn)用表的Rxlk擋來(lái)檢測(cè),或用數(shù)字萬(wàn)用表的“二極管”擋來(lái)測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。
檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電,避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度;
然后用指針萬(wàn)用表的兩只表筆正反測(cè)G、e兩極及G、c兩極的電阻,對(duì)于正常的IGBT管(正常G、e兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無(wú)窮大;內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管正常時(shí),e、C極間均有4kΩ正向電阻),上述所測(cè)值均為無(wú)窮大;
最后用指針萬(wàn)用表的紅筆接c極,黑筆接e極,若所測(cè)值在3.5kΩ左右,則所測(cè)管為含阻尼二極管的IGBT管,若所測(cè)值在50kΩ左右,則所測(cè)IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬(wàn)用表,正常情況下,IGBT管的e、C極問正向壓降約為0.5V。
測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小,則說(shuō)明該管已擊穿損壞;
若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無(wú)窮大,說(shuō)明該管已開路損壞。維修中IGBT管多為擊穿損壞。
判斷晶閘管極性及好壞的方法選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量晶閘管的任兩個(gè)極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大,則判定該極為陽(yáng)極(A)。
然后選擇指針萬(wàn)用表的R×1Ω檔。黑表筆接晶閘管的陽(yáng)極(A),紅表筆接晶閘管的其中一極假設(shè)為陰極(K),另一極為控制極(G)。
黑表筆不要離開陽(yáng)極(A)同時(shí)觸擊控制極(G),若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,則判定晶閘管的假設(shè)極性陰極(K)和控制極(G)是正確的,且該晶閘管元件為好的晶閘管。若萬(wàn)用表指針不偏轉(zhuǎn),顛倒晶閘管的假設(shè)極性再測(cè)量。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,則晶閘管的第二次假設(shè)極性為正確的,該晶閘管為好的晶閘管。否則為壞的晶閘管。
判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性:選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻,其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大,則判定該極為IGBT的柵極(G)。
測(cè)量另外兩極的正反向電阻,在正向電阻時(shí),紅表筆接的為IGBT的集電極(C),黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極(E)。
判斷IGBT好壞:選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極(C),紅表筆接發(fā)射極(E),用手同時(shí)觸擊一下集電極(C)和控制極(G)。
若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住,再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極(E)和控制極(G),萬(wàn)用表指針回零,則該IGBT為好的,否則為壞的IGBT。
如何檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法介紹
1、判斷極性
首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗×1KΩ擋,用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí),若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大,則判斷此極為柵極(G)。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量,若測(cè)得阻值為無(wú)窮大,調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小的一次中,則判斷紅表筆接的為集電極(C);黑表筆接的為發(fā)射極(E)。
2、判斷好壞
將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,用黑表筆接IGBT的集電極(C),紅表筆接IGBT的發(fā)射極(E),此時(shí)萬(wàn)用表的指針在零位。用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和集電極(C),這時(shí)IGBT被觸發(fā)導(dǎo)通,萬(wàn)用表的指針擺向阻值較小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同時(shí)觸及一下柵極(G)和發(fā)射極(E),這時(shí)IGBT被阻斷,萬(wàn)用表的指針回零。此時(shí)即可判斷IGBT是好的。
3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT
注意判斷IGBT好壞時(shí),一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗×10KΩ擋,因R×1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低,檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通,而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(P-MOSFET)的好壞。
逆變器IGBT模塊檢測(cè):
將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉䴓O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1 e1、c2 e2之間以及柵極G與 e1、 e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。
以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測(cè)試檔,紅表筆接P(集電極c1),黑表筆依次測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大;將表筆反過來(lái),黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N(發(fā)射極e2),黑表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右;黑表筆接P,紅表筆測(cè)U、V、W,萬(wàn)用表顯示數(shù)值為最大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同,若出現(xiàn)差別說(shuō)明IGBT模塊性能變差,應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時(shí),只有擊穿短路情況出現(xiàn)。
紅、黑兩表筆分別測(cè)柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性, 萬(wàn)用表兩次所測(cè)的數(shù)值都為最大,這時(shí)可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示,則門極性能變差,此模塊應(yīng)更換。當(dāng)正反向測(cè)試結(jié)果為零時(shí),說(shuō)明所檢測(cè)的一相門極已被擊穿短路。門極損壞時(shí)電路板保護(hù)門極的穩(wěn)壓管也將擊穿損壞。
很多同行對(duì)IGBT的測(cè)量和判斷僅局限于徹底擊穿,而對(duì)一些軟擊穿和性能下降的IGBT卻不知如何判斷,現(xiàn)就把本人多年來(lái)判斷IGBT的小經(jīng)驗(yàn)給大家說(shuō)說(shuō),高手可以飄過:
首先把指針萬(wàn)用表調(diào)到R×10K檔,檢測(cè)過程可分4步進(jìn)行:
1:黑表筆接G極;紅表筆接E極,此時(shí)的阻值應(yīng)為無(wú)窮大。
2:黑表筆接C極;紅表筆接E極,此時(shí)的阻值應(yīng)為 0Ω 。
3:保持第二步不動(dòng),用鑷子等金屬物短接G極和E極引腳,阻值應(yīng)該由 0Ω 跳變?yōu)闊o(wú)窮大。
4:在第三步的基礎(chǔ)上,移走鑷子,阻值應(yīng)保持無(wú)窮大不變。
以上測(cè)量方法同時(shí)適用于普通N溝道型場(chǎng)效應(yīng)管的判斷,P溝道的只需對(duì)調(diào)表筆即可,經(jīng)驗(yàn)由本人原創(chuàng)!
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